Transistor de canal N IRFB5615PBF, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 35A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.032 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 150V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 1750pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 155pF. Diodo Trr (Mín.): 80 ns. Función: para aplicaciones de amplificador de audio clase D. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 140A. Marcado en la caja: IRFB5615PbF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 144W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 17.2ns. Td(encendido): 8.9 ns. Tecnología: MOSFET de audio digital. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43