transistor de canal N IRFB7437, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

transistor de canal N IRFB7437, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.16€
5-24
1.91€
25-49
1.76€
50-99
1.64€
100+
1.46€
Cantidad en inventario: 74

Transistor de canal N IRFB7437, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 250A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 7330pF. Costo): 1095pF. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Función: Aplicaciones de accionamiento de motor BLDC, circuitos alimentados por batería, convertidores CC/CC y CA/CC. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 1000A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 230W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 78 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.2V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43

IRFB7437
29 parámetros
DI (T=100°C)
180A
DI (T=25°C)
250A
Idss (máx.)
150uA
Resistencia en encendido Rds activado
1.5M Ohms
Vivienda
TO-220
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220AB
Voltaje Vds(máx.)
40V
C(pulg)
7330pF
Costo)
1095pF
Diodo Trr (Mín.)
30 ns
Función
Aplicaciones de accionamiento de motor BLDC, circuitos alimentados por batería, convertidores CC/CC y CA/CC
IDss (mín.)
1uA
Identificación (diablillo)
1000A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
230W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
78 ns
Td(encendido)
19 ns
Tecnología
StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
3.9V
Vgs(th) mín.
2.2V
Producto original del fabricante
Infineon Technologies