transistor de canal N IRFB7440PBF, TO-220AB, 40V, 0.002 Ohms
Cantidad
Precio unitario
1-4
3.74€
5-9
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10-19
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2.31€
50+
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Transistor de canal N IRFB7440PBF, TO-220AB, 40V, 0.002 Ohms. Vivienda: TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 40V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.002 Ohms. : mejorado. Cargar: 90nC. Corriente de drenaje: 208A. Corriente máxima de drenaje: 172A/120A. Embalaje: tubus. Montaje/instalación: THT. Polaridad: unipolares. Potencia: 208W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: N-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: 40V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 22:22
IRFB7440PBF
18 parámetros
Vivienda
TO-220AB
Tensión drenaje-fuente (Vds)
40V
Resistencia en encendido Rds activado
0.002 Ohms
mejorado
Cargar
90nC
Corriente de drenaje
208A
Corriente máxima de drenaje
172A/120A
Embalaje
tubus
Montaje/instalación
THT
Polaridad
unipolares
Potencia
208W
RoHS
sí
Tecnología
HEXFET®
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
N-MOSFET
Voltaje de fuente de drenaje
40V
Voltaje de fuente de puerta
±20V
Producto original del fabricante
Infineon (irf)