Transistor de canal N IRFB7444PBF, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 172A. Idss (máx.): 150uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2M Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 40V. C(pulg): 4730pF. Costo): 680pF. Diodo Trr (Mín.): 24 ns. Función: Aplicaciones de accionamiento de motor BLDC, circuitos alimentados por batería, convertidores CC/CC y CA/CC. IDss (mín.): 1uA. Identificación (diablillo): 770A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 143W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 115 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.2V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43