Transistor de canal N IRFB9N60A, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 5.8A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.75 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 1400pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 180pF. Diodo Trr (Mín.): 530 ns. Función: Dynamic dv/dt Rating. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 37A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 170W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Spec info: Conmutación de alta velocidad. Td(apagado): 30 ns. Td(encendido): 13 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43