Transistor de canal N IRFB9N65A, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. DI (T=100°C): 5.4A. DI (T=25°C): 8.5A. Idss (máx.): 8.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.93 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 650V. Cantidad por caja: 1. Función: Dynamic dv/dt Rating. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43