Transistor de canal N IRFBC30, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.2 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 660pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 86pF. Diodo Trr (Mín.): 370 ns. Función: Dynamic dv/dt Rating. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 14A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43