Transistor de canal N IRFBC40PBF, 600V, 1.2 Ohms, 600V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 600V. Vivienda (norma JEDEC): -. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 600V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1300pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente máxima de drenaje: 6.2A. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.7A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 6.2A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRFBC40PBF. Número de terminales: 3. Potencia: 125W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 55 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 13 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:38