Transistor de canal N IRFBE30, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.1A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 1300pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 310pF. Diodo Trr (Mín.): 480 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 16A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(apagado): 82 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43