Transistor de canal N IRFBE30PBF, TO-220AB, 800V. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 800V. Acondicionamiento: tubus. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1300pF. Cargar: 78nC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de drenaje: 4A, 2.6A. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 4.1A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRFBE30PBF. Montaje/instalación: THT. Número de terminales: 3. Polaridad: unipolares. Potencia: 125W. Resistencia en el estado: 3 Ohms. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 82 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Tipo de transistor: N-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: 800V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22