Transistor de canal N IRFBF20S, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. DI (T=100°C): 1.1A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 8 Ohms. Vivienda: TO-262 ( I2-PAK ). Vivienda (según ficha técnica): TO-262. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 490pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 55pF. Diodo Trr (Mín.): 350 ns. Función: Dynamic dv/dt Rating. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 6.8A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 54W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 56 ns. Td(encendido): 8 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43