Transistor de canal N IRFBF30PBF, TO-220AB, 900V. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 900V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1200pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 125W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 3.6A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRFBF30PBF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 90 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22