Transistor de canal N IRFD014, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 310pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 160pF. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Función: td(on) 10ns, td(off) 13ns. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 14A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 13 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: FET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43