Transistor de canal N IRFD110, DIP, 0.71A, 1A, 250uA, 0.54 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 100V. Vivienda: DIP. DI (T=100°C): 0.71A. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.54 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 180pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 8.3nC. Corriente de drenaje: 700mA, 0.71A. Costo): 81pF. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 8A. Marcado del fabricante: IRFD110PBF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Polaridad: unipolares. Potencia: 1.3W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en el estado: 0.54 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 15 ns. Td(encendido): 6.9ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 100V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43