Transistor de canal N IRFD123, 0.94A, 1.3A, 250uA, 0.27 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. DI (T=100°C): 0.94A. DI (T=25°C): 1.3A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 360pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 150pF. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 10A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.3W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 18 ns. Td(encendido): 6.8 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43