transistor de canal N IRFD220, DIP4
Cantidad
Precio unitario
1-4
4.16€
5-9
2.98€
10-19
2.80€
20-49
2.69€
50+
2.58€
| Cantidad en inventario: 25 |
Transistor de canal N IRFD220, DIP4. Vivienda: DIP4. Cargar: 14nC. Corriente de drenaje: 0.5A. 800mA. Montaje/instalación: THT. Polaridad: unipolares. Potencia: 1W. RoHS: sí. Tipo de transistor: N-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: 200V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 04:39
IRFD220
11 parámetros
Vivienda
DIP4
Cargar
14nC
Corriente de drenaje
0.5A
Montaje/instalación
THT
Polaridad
unipolares
Potencia
1W
RoHS
sí
Tipo de transistor
N-MOSFET
Voltaje de fuente de drenaje
200V
Voltaje de fuente de puerta
±20V
Producto original del fabricante
Vishay