Transistor de canal N IRFD220PBF, DIP, 200V, 0.38A, 0.8A, 250uA, 0.8 Ohms, DH-1 house, DIP-4, 200V. Vivienda: DIP. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. DI (T=100°C): 0.38A. DI (T=25°C): 0.8A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 22pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 260pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 53pF. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 1W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 0.4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 0.8A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 6.4A. Marcado del fabricante: IRFD220PBF. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 19 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 7.2 ns. Tecnología: transistor MOSFET de potencia de tercera generación. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.2 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43