transistor de canal N IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V

transistor de canal N IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V

Cantidad
Precio unitario
1-4
1.75€
5-24
1.48€
25-49
1.29€
50-99
1.14€
100+
0.92€
Cantidad en inventario: 95

Transistor de canal N IRFI520G, 5.1A, 7.2A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-220FP, TO-220 FULLPAK, 100V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 7.2A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.27 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220 FULLPAK. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 360pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 150pF. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Función: Convertidor de voltaje CC/CC. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 29A. Pd (disipación de potencia, máx.): 37W. Protección G-S: sí. Protección de la fuente de drenaje: no. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 8.8 ns. Tecnología: transistor MOSFET de potencia de tercera generación. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43

Documentación técnica (PDF)
IRFI520G
27 parámetros
DI (T=100°C)
5.1A
DI (T=25°C)
7.2A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.27 Ohms
Vivienda
TO-220FP
Vivienda (según ficha técnica)
TO-220 FULLPAK
Voltaje Vds(máx.)
100V
C(pulg)
360pF
Cantidad por caja
1
Costo)
150pF
Diodo Trr (Mín.)
130 ns
Función
Convertidor de voltaje CC/CC
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
29A
Pd (disipación de potencia, máx.)
37W
Protección G-S
Protección de la fuente de drenaje
no
Td(apagado)
19 ns
Td(encendido)
8.8 ns
Tecnología
transistor MOSFET de potencia de tercera generación
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
Vishay