transistor de canal N IRFI530GPBF, ITO-220AB, 100V

transistor de canal N IRFI530GPBF, ITO-220AB, 100V

Cantidad
Precio unitario
1-49
2.86€
50+
2.38€
Cantidad en inventario: 356

Transistor de canal N IRFI530GPBF, ITO-220AB, 100V. Vivienda: ITO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 670pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 42W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ 5.8A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 9.7A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRFI530GPBF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 34 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.6 ns. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:45

Documentación técnica (PDF)
IRFI530GPBF
16 parámetros
Vivienda
ITO-220AB
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
100V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
670pF
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Disipación máxima Ptot [W]
42W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.16 Ohms @ 5.8A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
9.7A
Familia de componentes
MOSFET, N-MOS
Marcado del fabricante
IRFI530GPBF
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
34 ns
RoHS
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
4 v
Tiempo de encendido ton [nseg.]
8.6 ns
Producto original del fabricante
Vishay (ir)