Transistor de canal N IRFI630GPBF, ITO-220AB, 200V. Vivienda: ITO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 800pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 32W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 5.9A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRFI630GPBF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 39 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9.4 ns. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22