Transistor de canal N IRFI840G, 500V, 0.85 Ohms, TO-220FP, 2.9A, 4.6A, 250uA, TO-220F, 500V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 500V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.85 Ohms. Vivienda: TO-220FP. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 4.6A. Idss (máx.): 250uA. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 1300pF. Cantidad por caja: 1. Corriente máxima de drenaje: 4.6A. Costo): 200pF. Diodo Trr (Mín.): 340 ns. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 18A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Protección G-S: diodo. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:51