Transistor de canal N IRFIBF30GPBF, ITO-220AB, 900V. Vivienda: ITO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 900V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1200pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 35W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 1.9A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRFIBF30GPBF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 90 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:45