Transistor de canal N IRFL024N, 2.3A, 2.8A, 250uA, 0.075 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 2.8A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 400pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 145pF. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Equivalentes: IRFL024NPBF. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 11.2A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.1W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 22.2 ns. Td(encendido): 8.1 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:51