Transistor de canal N IRFL024NPBF, SOT-223, 55V. Vivienda: SOT-223. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 400pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 2.1W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 2.8A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 2.8A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: FL024N. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 22 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 8.1 ns. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:06