Transistor de canal N IRFL4105PBF, SOT-223 ( TO-226 ), 55V, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223, 55V. Vivienda: SOT-223 ( TO-226 ). Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.045 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOT-223. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 660pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 660pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Costo): 230pF. Diodo Trr (Mín.): 55 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 2.1W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 3.7A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 3.7A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 30A. Marcado del fabricante: FL4105. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.1W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 19 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 19 ns. Td(encendido): 7.1 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 7.1 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:51