Transistor de canal N IRFP044N, TO-247, 55V, 37A, 53A, 25uA, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247AC, 55V. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. DI (T=100°C): 37A. DI (T=25°C): 53A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 1500pF. Cantidad por caja: 1. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1500pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Costo): 450pF. Diodo Trr (Mín.): 72 ns. Disipación máxima Ptot [W]: 120W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 53A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Función: PowerMOSFET. Identificación (diablillo): 180A. Marcado del fabricante: IRFP044N. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 120W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 12 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:51