transistor de canal N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V

transistor de canal N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V

Cantidad
Precio unitario
1-4
4.25€
5-9
3.97€
10-24
3.74€
25-49
3.53€
50+
3.21€
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Cantidad en inventario: 105

Transistor de canal N IRFP064N, TO-247, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247AC, 55V. Vivienda: TO-247. DI (T=100°C): 59A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 55V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 4000pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 113.3nC. Corriente de drenaje: 98A. Costo): 1300pF. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 390A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Polaridad: unipolares. Potencia: 150W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia térmica de alojamiento: 1K/W. RoHS: sí. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 14 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 25. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 55V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:51

Documentación técnica (PDF)
IRFP064N
40 parámetros
Vivienda
TO-247
DI (T=100°C)
59A
DI (T=25°C)
110A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.008 Ohms
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AC
Voltaje Vds(máx.)
55V
Acondicionamiento
tubus
C(pulg)
4000pF
Cantidad por caja
1
Cargar
113.3nC
Corriente de drenaje
98A
Costo)
1300pF
Diodo Trr (Mín.)
110 ns
Función
Conmutación de alta velocidad
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
390A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
200W
Polaridad
unipolares
Potencia
150W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
Resistencia térmica de alojamiento
1K/W
RoHS
Spec info
Ultra Low On-Resistance
Td(apagado)
43 ns
Td(encendido)
14 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
25
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Voltaje de fuente de drenaje
55V
Voltaje de fuente de puerta
20V, ±20V
Producto original del fabricante
International Rectifier