Transistor de canal N IRFP064NPBF, TO247AC, 55V, 55V, 0.008 Ohms, 55V. Vivienda: TO247AC. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 55V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 55V. Vivienda (norma JEDEC): -. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 55V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4000pF. Características: -. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente máxima de drenaje: 98A. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 110A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 110A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRFP064NPBF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Polaridad: MOSFET N. Potencia: 150W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. RoHS: sí. Serie: -. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 14 ns. Tipo de canal: N. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:22