transistor de canal N IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

transistor de canal N IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V

Cantidad
Precio unitario
1-4
5.19€
5-24
4.69€
25-49
4.30€
50-99
3.97€
100+
3.47€
Cantidad en inventario: 45

Transistor de canal N IRFP1405PBF, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. DI (T=100°C): 110A. DI (T=25°C): 160A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0042 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 5600pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1310pF. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Función: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 640A. Pd (disipación de potencia, máx.): 310W. Potencia: 310W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 140 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:51

Documentación técnica (PDF)
IRFP1405PBF
29 parámetros
DI (T=100°C)
110A
DI (T=25°C)
160A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.0042 Ohms
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AC
Voltaje Vds(máx.)
55V
C(pulg)
5600pF
Cantidad por caja
1
Costo)
1310pF
Diodo Trr (Mín.)
70 ns
Función
Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
640A
Pd (disipación de potencia, máx.)
310W
Potencia
310W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
140 ns
Td(encendido)
12 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
Vishay