transistor de canal N IRFP140N, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

transistor de canal N IRFP140N, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Cantidad
Precio unitario
1-4
2.35€
5-24
2.00€
25-49
1.76€
50-99
1.59€
100+
1.36€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 57

Transistor de canal N IRFP140N, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.052 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 100V. Cantidad por caja: 1. Función: PowerMOSFET. IDss (mín.): 25uA. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 140W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 44 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Tecnología: HEXFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:51

Documentación técnica (PDF)
IRFP140N
22 parámetros
DI (T=100°C)
16A
DI (T=25°C)
33A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.052 Ohms
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AC
Voltaje Vds(máx.)
100V
Cantidad por caja
1
Función
PowerMOSFET
IDss (mín.)
25uA
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
140W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
Td(apagado)
44 ns
Td(encendido)
8.2 ns
Tecnología
HEXFET
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
International Rectifier

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