Transistor de canal N IRFP150N, TO-247, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247AC, 100V. Vivienda: TO-247. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.36 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 100V. Acondicionamiento: tubus. C(pulg): 1900pF. Cantidad por caja: 1. Cargar: 73.3nC, 110nC. Corriente de drenaje: 30A, 39A. Costo): 450pF. Diodo Trr (Mín.): 180 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 140A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. Polaridad: unipolares. Potencia: 160W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia térmica de alojamiento: 1.1K/W. RoHS: sí. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 30. Vgs(th) mín.: 2V. Voltaje de fuente de drenaje: 100V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:51