transistor de canal N IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

transistor de canal N IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

Cantidad
Precio unitario
1-4
5.37€
5-9
4.71€
10-24
4.19€
25-49
3.90€
50+
3.43€
Cantidad en inventario: 31

Transistor de canal N IRFP22N50A, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 22A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.23 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 3450pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 513pF. Diodo Trr (Mín.): 570 ns. Función: SMPS MOSFET. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 88A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 277W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 47 ns. Td(encendido): 26 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:51

Documentación técnica (PDF)
IRFP22N50A
27 parámetros
DI (T=100°C)
13A
DI (T=25°C)
22A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.23 Ohms
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AC
Voltaje Vds(máx.)
500V
C(pulg)
3450pF
Cantidad por caja
1
Costo)
513pF
Diodo Trr (Mín.)
570 ns
Función
SMPS MOSFET
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
88A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Pd (disipación de potencia, máx.)
277W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
Td(apagado)
47 ns
Td(encendido)
26 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
International Rectifier