Transistor de canal N IRFP250, TO247, TO247AC. Vivienda: TO247, TO247AC. Acondicionamiento: tubus. Cargar: 82nC, 123nC. Corriente de drenaje: 30A. Montaje/instalación: THT. Polaridad: unipolares. Potencia: 214W. Resistencia térmica de alojamiento: 700mK/W. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Voltaje de fuente de drenaje: 200V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: Infineon (irf). Cantidad en stock actualizada el 04/10/2025, 11:04