Transistor de canal N IRFP260N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.04 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 4057pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 603pF. Diodo Trr (Mín.): 268 ns. Función: relación dinámica dv/dt, conmutación rápida. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 200A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Peso: 5.57g. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 17 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:51