transistor de canal N IRFP264, 24A, 38A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V

transistor de canal N IRFP264, 24A, 38A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V

Cantidad
Precio unitario
1-4
4.72€
5-24
4.21€
25-49
3.84€
50-99
3.55€
100+
3.13€
Cantidad en inventario: 16

Transistor de canal N IRFP264, 24A, 38A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 38A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.075 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 250V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 5400pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 870pF. Diodo Trr (Mín.): 410 ns. Función: conmutación rápida, dinámica dv/dt. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 150A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 280W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 25. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:51

Documentación técnica (PDF)
IRFP264
32 parámetros
DI (T=100°C)
24A
DI (T=25°C)
38A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.075 Ohms
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AC
Voltaje Vds(máx.)
250V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
5400pF
Cantidad por caja
1
Costo)
870pF
Diodo Trr (Mín.)
410 ns
Función
conmutación rápida, dinámica dv/dt
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
150A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
280W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
diodo Zener
RoHS
Td(apagado)
110 ns
Td(encendido)
22 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
25
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
International Rectifier