Transistor de canal N IRFP27N60KPBF, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 4660pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 460pF. Diodo Trr (Mín.): 620 ns. Función: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. IDss (mín.): 50uA. Identificación (diablillo): 110A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 500W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 27 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:51