Transistor de canal N IRFP2907, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. DI (T=100°C): 148A. DI (T=25°C): 209A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.6m Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 75V. C(pulg): 13000pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 2100pF. Diodo Trr (Mín.): 140 ns. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 870A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 470W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. RoHS: sí. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:51