Transistor de canal N IRFP360PBF, 400V, 0.20 Ohms, 400V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 400V. Vivienda (norma JEDEC): -. Resistencia en encendido Rds activado: 0.20 Ohms. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 400V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 4500pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente máxima de drenaje: 23A. Disipación máxima Ptot [W]: 280W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 23A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRFP360PBF. Número de terminales: 3. Potencia: 280W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 100 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 18 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Producto original del fabricante: Vishay (siliconix). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:38