transistor de canal N IRFP4227, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

transistor de canal N IRFP4227, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V

Cantidad
Precio unitario
1-4
5.35€
5-9
4.70€
10-24
4.28€
25-49
4.00€
50+
3.56€
Cantidad en inventario: 37

Transistor de canal N IRFP4227, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.021 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 4600pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 460pF. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Función: PDP MOSFET. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 260A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 33 ns. Tecnología: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Temperatura: +175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 25. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45

Documentación técnica (PDF)
IRFP4227
33 parámetros
DI (T=100°C)
46A
DI (T=25°C)
65A
Idss (máx.)
1mA
Resistencia en encendido Rds activado
0.021 Ohms
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AC
Voltaje Vds(máx.)
200V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
4600pF
Cantidad por caja
1
Costo)
460pF
Diodo Trr (Mín.)
100 ns
Función
PDP MOSFET
IDss (mín.)
20uA
Identificación (diablillo)
260A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
330W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
21 ns
Td(encendido)
33 ns
Tecnología
HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH
Temperatura de funcionamiento
-40...+175°C
Temperatura
+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
25
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Producto original del fabricante
International Rectifier