Transistor de canal N IRFP4229PBF, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. DI (T=100°C): 31A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.038 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 250V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 4560pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 390pF. Diodo Trr (Mín.): 190 ns. Función: PDP MOSFET. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 180A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 310W. Peso: 5.8g. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 44 ns. Tecnología: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Temperatura: +175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 25. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45