transistor de canal N IRFP450, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

transistor de canal N IRFP450, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V

Cantidad
Precio unitario
1-4
3.34€
5-24
3.03€
25-49
2.69€
50-99
2.45€
100+
2.10€
Cantidad en inventario: 110

Transistor de canal N IRFP450, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 8.7A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 500V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 2600pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 420pF. Diodo Trr (Mín.): 540 ns. Función: transistor MOSFET. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 56A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 92us. Td(encendido): 17us. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 25. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45

Documentación técnica (PDF)
IRFP450
32 parámetros
DI (T=100°C)
8.7A
DI (T=25°C)
14A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.4 Ohms
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AC
Voltaje Vds(máx.)
500V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
2600pF
Cantidad por caja
1
Costo)
420pF
Diodo Trr (Mín.)
540 ns
Función
transistor MOSFET
IDss (mín.)
25uA
Identificación (diablillo)
56A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
190W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
92us
Td(encendido)
17us
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
25
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Producto original del fabricante
Vishay