Transistor de canal N IRFP450PBF, TO247, 500V, 500V, 0.4 Ohms, 500V. Vivienda: TO247. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 500V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 500V. Vivienda (norma JEDEC): -. Resistencia en encendido Rds activado: 0.4 Ohms. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 500V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2600pF. Características: -. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente máxima de drenaje: 14A. Disipación máxima Ptot [W]: 190W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 14A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (corriente de drenaje continua): 14A. Información: -. MSL: -. Marcado del fabricante: IRFP450PBF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Polaridad: MOSFET N. Potencia: 180W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 92 ns. RoHS: sí. Serie: IRFP. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de puerta/fuente Vgs máx.: -20V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 4 v. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 17 ns. Tipo de canal: N. Tipo de montaje: THT. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Voltaje de accionamiento: 10V. Producto original del fabricante: Vishay (ir). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:42