transistor de canal N IRFP4568PBF, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V

transistor de canal N IRFP4568PBF, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V

Cantidad
Precio unitario
1-4
11.78€
5-9
10.67€
10-24
9.83€
25-49
9.20€
50+
8.25€
Cantidad en inventario: 30

Transistor de canal N IRFP4568PBF, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247, TO-247AC, 150V. DI (T=100°C): 121A. DI (T=25°C): 694A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0048 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 150V. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 10470pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 977pF. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 171A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 517W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 47 ns. Td(encendido): 27 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidad de acondicionamiento: 30. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45

Documentación técnica (PDF)
IRFP4568PBF
32 parámetros
DI (T=100°C)
121A
DI (T=25°C)
694A
Idss (máx.)
250uA
Resistencia en encendido Rds activado
0.0048 Ohms
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AC
Voltaje Vds(máx.)
150V
Acondicionamiento
tubo de plástico
C(pulg)
10470pF
Cantidad por caja
1
Costo)
977pF
Diodo Trr (Mín.)
110 ns
Función
Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
IDss (mín.)
20uA
Identificación (diablillo)
171A
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
517W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
RoHS
Td(apagado)
47 ns
Td(encendido)
27 ns
Tecnología
HEXFET Power MOSFET
Temperatura de funcionamiento
-55...+175°C
Tensión puerta/fuente Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidad de acondicionamiento
30
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Producto original del fabricante
Infineon Technologies