Transistor de canal N IRFP4668, 92A, 130A, 0.1mA, 130A, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=100°C): 92A. DI (T=25°C): 130A. Idss: 0.1mA. Idss (máx.): 130A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 200V. Cantidad por caja: 1. Función: Rectificación síncrona de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas. Identificación (diablillo): 520A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 520W. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45