transistor de canal N IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

transistor de canal N IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V

Cantidad
Precio unitario
1-4
4.76€
5-24
4.33€
25-49
3.99€
50-99
3.70€
100+
3.31€
Cantidad en inventario: 19

Transistor de canal N IRFP4710, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 51A. DI (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (máx.): 72A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 6160pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 440pF. Función: Power-MOSFET. IDss (mín.): 0.1uA. Identificación (diablillo): 300A. Nota: Frecuencia alta. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 41 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5.5V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 3.5V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45

Documentación técnica (PDF)
IRFP4710
27 parámetros
DI (T=100°C)
51A
DI (T=25°C)
72A
Idss
250uA
Idss (máx.)
72A
Resistencia en encendido Rds activado
0.011 Ohms
Vivienda
TO-247
Vivienda (según ficha técnica)
TO-247AC
Voltaje Vds(máx.)
100V
C(pulg)
6160pF
Cantidad por caja
1
Costo)
440pF
Función
Power-MOSFET
IDss (mín.)
0.1uA
Identificación (diablillo)
300A
Nota
Frecuencia alta
Pd (disipación de potencia, máx.)
190W
Protección G-S
no
Protección de la fuente de drenaje
Td(apagado)
41 ns
Td(encendido)
35 ns
Tecnología
HEXFET® Power MOSFET
Tensión puerta/fuente Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5.5V
Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.
3.5V
Producto original del fabricante
International Rectifier