Transistor de canal N IRFP90N20D, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=100°C): 66A. DI (T=25°C): 94A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.023 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 1070pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 6040pF. Función: Convertidores DC-DC de alta frecuencia. IDss (mín.): 25uA. Identificación (diablillo): 380A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 580W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 43 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45