Transistor de canal N IRFP90N20DPBF, TO-247AC, 200V, 0.02, 200V. Vivienda: TO-247AC. Tensión drenaje-fuente (Vds): 200V. Vivienda (norma JEDEC): -. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Acondicionamiento: tubus. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 640pF. Cargar: 180nC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente de drenaje: 94A. Corriente máxima de drenaje: 94A. Disipación máxima Ptot [W]: 580W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 94A. Familia de componentes: MOSFET, N-MOS. Marcado del fabricante: IRFP90N20DPBF. Montaje/instalación: THT. Número de terminales: 3. Polaridad: unipolares. Potencia: 580W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 43 ns. RoHS: sí. Tecnología: HEXFET®. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 23 ns. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: N-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: 200V. Voltaje de fuente de puerta: ±30V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:38