Transistor de canal N IRFPE50, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 7.8A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 800V. C(pulg): 3100pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 800pF. Diodo Trr (Mín.): 650 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 31A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Td(apagado): 120ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45