transistor de canal N IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms

Cantidad

Precio unitario

1-1

6.32€

2-4

5.67€

5-9

5.17€

10-24

4.72€

25+

4.37€

Cantidad en inventario: 34

Transistor de canal N IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms. Tensión drenaje-fuente (Vds): 800V. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Corriente máxima de drenaje: 7.8A. Potencia: 190W. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 09:00

Documentación técnica (PDF)

IRFPE50PBF

7 parámetros

Tensión drenaje-fuente (Vds)

800V

Resistencia en encendido Rds activado

1.2 Ohms

Corriente máxima de drenaje

7.8A

Potencia

190W

Tipo de canal

Tipo de transistor

transistor de potencia MOSFET

Producto original del fabricante

Vishay