transistor de canal N IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms
Cantidad
Precio unitario
1-1
6.34€
2-4
5.68€
5-9
5.18€
10-24
4.73€
25+
4.38€
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Transistor de canal N IRFPE50PBF, 800V, 1.2 Ohms. Tensión drenaje-fuente (Vds): 800V. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Corriente máxima de drenaje: 7.8A. Potencia: 190W. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 15/02/2026, 04:04
IRFPE50PBF
7 parámetros
Tensión drenaje-fuente (Vds)
800V
Resistencia en encendido Rds activado
1.2 Ohms
Corriente máxima de drenaje
7.8A
Potencia
190W
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
transistor de potencia MOSFET
Producto original del fabricante
Vishay