Transistor de canal N IRFPG50, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.1A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2 Ohms. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Voltaje Vds(máx.): 1000V. C(pulg): 2800pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 250pF. Diodo Trr (Mín.): 630 ns. Función: Conmutación de alta velocidad. IDss (mín.): 100uA. Identificación (diablillo): 24A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 130 ns. Td(encendido): 19 ns. Tecnología: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 2V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 02:45